中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
Adobe PDF(96Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1690/419  |  提交时间：2010/11/15
Annealing  Molecular Beam Epitaxy  Germanium Silicon Alloys  Semiconducting Materials  Strain Relaxation