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| 基于显微磁圆二色谱的过渡金属二硫族化合物磁性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 吴元军
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自旋电子学 过渡金属二硫族化合物 谷塞曼劈裂 磁圆二色性 单层 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yuan, ZG; Zhang, P; Li, SS; Jing, J; Kong, LB
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李元金; 张万成; 吴南健
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| 基于并行处理的快速车道线检测装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033968.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 李元金; 张万成; 吴南健
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| 逐次逼近模数转换器系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 姚兵兵; 刘力源; 刘剑; 吴南健
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| 用于CMOS图像传感器的模拟读出预处理电路及其控制方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘力源; 吴南健; 郭志强
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| 一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法和校准方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 姚兵兵; 刘力源; 刘剑; 吴南健
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| 一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 姚兵兵; 刘力源; 刘剑; 吴南健
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| 一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 姚兵兵; 刘力源; 刘剑; 吴南健
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| 冗余自适应电荷再分布模数转换器的校准方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 姚兵兵; 刘力源; 刘剑; 吴南健
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