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| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟 Adobe PDF(695Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1014/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城 Adobe PDF(512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:936/165  |  提交时间:2009/06/11 |
| 单光子探测装置的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘伟; 杨富华; 曾宇昕; 郑厚植 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:961/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11 发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏 Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:624/69  |  提交时间:2014/11/24 |
| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:674/90  |  提交时间:2014/11/05 |
| 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:650/1  |  提交时间:2016/09/12 |
| 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 孔苏苏; 李辉杰; 冯玉霞; 赵桂娟; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:526/3  |  提交时间:2016/08/30 |