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分子束外延生长的 InAs/GaSb 二类超晶格材料的电学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  郭晓璐
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一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  郭晓璐;  马文全;  张艳华
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