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SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  顾宇翔
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超陡峭亚阈值摆幅压电晶体管仿真研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  龙宇雄
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超陡峭亚阈值摆幅压电晶体管仿真研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  龙宇雄
Adobe PDF(15080Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：226/0  |  提交时间：2021/06/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv YJ;  Lin ZJ;  Meng LG;  Yu YX;  Luan CB;  Cao ZF;  Chen H;  Sun BQ;  Wang ZG;  Lin, ZJ (reprint author), Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Peoples R China, linzj@sdu.edu.cn
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