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Si(111)衬底上GaN薄膜的生长及应变调控研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  吴玉新
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu YX (Wu Yu-Xin);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Wang H (Wang Hui);  Chen GF (Chen Gui-Feng);  Yang H (Yang Hui);  Zhu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jjzhu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JG;  Cheng TH;  Yeo YK;  Wang YX;  Xue LF;  Wang DW;  Yu XJ;  Liu, JG, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: luckyjgliu@163.com
Adobe PDF(499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1014/298  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JG;  Yeo YK;  Wang YX;  Xue LF;  Wang DW;  Rong WF;  Zhou LY;  Xiao GX;  Yu XJ;  Cheng TH;  Liu JG Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore Singapore. E-mail Address: jgliu@ntu.edu.sg;  ykyeo@ieee.org;  Wangyx@i2r.a-star.edu.sg;  lfxue@semi.ac.cn;  Wang0365@ntu.edu.sg;  wfrong@i2r.a-star.edu.sg;  Lzhou@i2r.a-star.edu.sg;  Egxxiao@ntu.edu.sg;  Ethcheng@ntu.edu.sg
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一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾宇昕;  杨富华;  徐萍;  刘伟
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半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾宇昕;  王水凤;  杨富华;  曾庆城
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan SD (Pan Shu-Di);  He JL (He Jing-Liang);  Hou YE (Hou Yu-E);  Fan YX (Fan Ya-Xian);  Wang HT (Wang Hui-Tian);  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Pan, SD, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail: jlhe@icm.sdu.edu.cn;  htwang@nju.edu.cn;  wygxjw@red.semi.ac.cn
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Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Zeng, YX (Zeng, Yuxin);  Liu, W (Liu, Wei);  Yang, FH (Yang, Fuhua);  Xu, P (Xu, Ping);  Tan, PH (Tan, Pingheng);  Zheng, HZ (Zheng, Houzhi);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Xing, YJ (Xing, Yingjie);  Yu, DP (Yu, Dapeng);  Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inas Quantum Dot  Photoluminescence  Modulation-doped  Field Effect Transistor  Mu-m  Capping Layer  
单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘伟;  杨富华;  曾宇昕;  郑厚植
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内嵌InAs 量子点的调制掺杂场效应晶体管的光电特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  曾宇昕
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