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| 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于理科; 徐波 ; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰
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| 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li RY; Wang ZG; Xu B; Jin P; Guo X; Chen M; Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ryli@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 龚谦; 梁基本; 徐波; 丁鼎; 王占国; 裘晓辉; 商广义; 白春礼
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周伟; 梁基本; 徐波; 龚谦; 李含轩; 刘峰奇; 姜卫红; 江潮; 许怀哲; 丁鼎; 张金福; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱东海; 范缇文; 梁基本; 徐波; 朱战萍; 龚谦; 江潮; 李含轩; 周伟; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱东海; 王占国; 梁基本; 徐波; 朱战萍; 张隽; 龚谦; 金才政; 丛立方; 胡雄伟; 韩勤; 方祖捷; 刘斌; 屠玉珍
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