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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: P. Barate; S. H. Liang; T. T. Zhang; J. Frougier; B. Xu; P. Schieffer; M. Vidal; H. Jaffrès; B. Lépine; S. Tricot; F. Cadiz; T. Garandel; J. M. George; T. Amand; X. Devaux; M. Hehn; S. Mangin; B. Tao; X. F. Han; Z. G. Wang; X. Marie; Y. Lu; P. Renucci
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: S. Luo; H.M. Ji; F. Gao; F. Xu; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: F. Gao; S. Luo; H.M. Ji; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding Y (Ding Y.); Fan WJ (Fan W. J.); Ma BS (Ma B. S.); Xu DW (Xu D. W.); Yoon SF (Yoon S. F.); Liang S (Liang S.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Wasiak M (Wasiak M.); Czyszanowski T (Czyszanowski T.); Nakwaski W (Nakwaski W.); Ding, Y, NanyangTechnolUniv, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: yding@ntu.edu.sg
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Meng XQ (Meng X. Q.); Jin P (Jin P.); Liang ZM (Liang Z. M.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhang ZY (Zhang Z. Y.); Meng, XQ, Wuhan Univ, Key Lab Artificial Micro & Nano Struct, Minist Educ, Wuhan 430072, Peoples R China. mengxq@whu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kong DH (Kong D. H.); Zhu HL (Zhu H. L.); Liang S (Liang S.); Zhao XF (Zhao X. F.); Lou CX (Lou C. X.); Wang L (Wang L.); Wang BJ (Wang B. J.); Zhao LJ (Zhao L. J.)
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 红外光电探测器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 任飞; 刘舒曼; 王风娇; 翟胜强; 梁平; 刘峰奇; 王占国
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| 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 王晓亮; 闫俊达; 李百泉; 王权; 肖红领; 冯春; 殷海波; 姜丽娟; 邱爱芹; 介芳
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