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| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟
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| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城
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| 单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘伟; 杨富华; 曾宇昕; 郑厚植
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| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏
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| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国
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| 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国
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| 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 孔苏苏; 李辉杰; 冯玉霞; 赵桂娟; 魏鸿源; 杨少延; 王占国
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