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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su SJ;  Wang W;  Zhang GZ;  Hu WX;  Bai AQ;  Xue CL;  Zuo YH;  Cheng BW;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. cbw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(650Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1360/300  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai AQ;  Hu D;  Ding WC;  Su SJ;  Hu WX;  Xue CL;  Fan ZC;  Cheng BW;  Yu YD;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn;  cbw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
Adobe PDF(208Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：993/326  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng BW;  Yao F;  Xue CL;  Zhang JG;  Li CB;  Mao RW;  Zuo YH;  Luo LP;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(147Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：995/348  |  提交时间：2010/03/17
GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1551/217  |  提交时间：2011/08/30
共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马志华;  左玉华;  薛春来;  成步文;  王启明;  郑世雄
Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1434/231  |  提交时间：2012/09/09
一种铁电晶体材料的极化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  范学东;  马传龙;  王海玲;  王宇飞;  马绍栋;  郑婉华
Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1390/308  |  提交时间：2012/09/09
一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  马传龙;  范学东;  渠红伟;  彭红玲;  王海玲;  马绍栋
Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1230/324  |  提交时间：2012/09/09
一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  范学东;  马传龙;  马绍栋;  齐爱谊
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1215/304  |  提交时间：2012/09/09
一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102520561A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  马传龙;  范学东;  马绍栋;  齐爱谊
Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1379/250  |  提交时间：2012/09/09