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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J;  Zuo YH;  Wang W;  Tao YL;  Xue CL;  Cheng BW;  Wang QM;  Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, A35 QingHua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. zhengjun@semi.ac.cn
Adobe PDF(310Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1608/303  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HW;  Hu WX;  Xue CL;  Cheng BW;  Wang QM;  Zhao, HW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. hwzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(868Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1210/300  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J;  Ding WC;  Xue CL;  Zuo YH;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Wang GL;  Guo HQ;  Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Stare Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhengjun@semi.ac.cn
Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1246/390  |  提交时间：2010/04/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai AQ;  Hu D;  Ding WC;  Su SJ;  Hu WX;  Xue CL;  Fan ZC;  Cheng BW;  Yu YD;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn;  cbw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1240/286  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xue HY;  Xue CL;  Cheng BW;  Yu YD;  Wang QM;  Xue HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: cbw@semi.ac.cn
Adobe PDF(1189Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1113/344  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu WX;  Cheng BW;  Xue CL;  Xue HY;  Su SJ;  Bai AQ;  Luo LP;  Yu YD;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: cbw@semi.ac.cn
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一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  姚飞;  薛春来;  成步文;  王启明
Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1190/199  |  提交时间：2009/06/11
半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer 会议论文
2008 5TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Sorrento, ITALY, SEP 17-19, 2008
作者:  Cheng BW;  Xue HY;  Hu D;  Han GQ;  Zeng YG;  Bai AQ;  Xue CL;  Luo LP;  Zuo YH;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Sige/si(100) Epitaxial-films  
制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1220/181  |  提交时间：2009/06/11