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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张洪波;  韦欣;  朱晓鹏;  王国宏;  马骁宇
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制造半导体双极器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  张秀兰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW;  Yin H;  Boyen HG;  Ziemann P;  Ozawa M;  Zhang, XW, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, CAS,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(464Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：710/141  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BY;  Li G;  Chen M;  Yu HJ;  Wang YG;  Ma XY;  Zhang, BY, Beijing Univ Technol, Coll Laser Engn, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbingyuan@sina.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1083/359  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(236Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：975/238  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1055/323  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张尚剑;  刘戬;  温继敏;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘喆;  王军喜;  李晋闽;  刘宏新;  王启元;  王俊;  张南红;  肖红领;  王晓亮;  曾一平
Adobe PDF(811Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1208/336  |  提交时间：2010/11/23