中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
半导体激光器同轴器件的L型支架封装 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王欣;  袁海庆;  祝宁华
Adobe PDF(306Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1033/173  |  提交时间：2009/06/11
垂直腔面发射激光器TO同轴封装测试用的夹具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  袁海庆;  张尚剑;  王欣;  祝宁华
Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1076/181  |  提交时间：2009/06/11
快速升温和快速降温的贴片加热装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谢亮;  俞芷莱;  祝宁华;  王欣
Adobe PDF(228Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1053/179  |  提交时间：2009/06/11
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(981Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1328/203  |  提交时间：2010/03/29
Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu XN (Hu Xue-Ning);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Hu, XN, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(294Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：749/221  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  王欣;  袁海庆;  钟宝嗾;  祝宁暶
Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：887/317  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡学宁;  李新奇
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：672/227  |  提交时间：2010/11/23