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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
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半导体微盘谐振腔的模式特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  罗贤树
Adobe PDF(3463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：734/34  |  提交时间：2009/04/13