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一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构及制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邵烨;  刘峰奇;  刘俊歧;  李路
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GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  李路;  邵烨;  郭瑜;  梁平;  胡颖;  孙虹
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单模量子级联激光器的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  刘峰奇;  刘俊岐;  王占国
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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  路秀真;  郭瑜;  梁平;  胡颖;  孙虹
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li L (Li Lu);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Shao Y (Shao Ye);  Liu JQ (Liu Jun-Qi);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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