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光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈海波;  李兆峰;  陈建军;  杨富华;  封松林;  郑厚植
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CMOS硅发光二极管驱动电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
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采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
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多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  黄北举;  顾明;  刘海军
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用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  顾明;  刘海军
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一种基于SOI的光子晶体分束器及制法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  余和军;  余金中;  陈少武
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与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  高鹏;  顾明
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深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  高鹏;  顾明;  刘海军
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一种制作容差和可用带宽范围大的光子晶体分束器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  余和军;  余金中;  陈少武
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen HD (Chen Hong-Da);  Liu HJ (Liu Hai-Jun);  Liu JB (Liu Jin-Bin);  Ming G (Ming Gu);  Huang BJ (Huang Bei-Ju);  Chen, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hjliu@red.semi.ac.cn
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