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| 硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张宝顺; 杨辉
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| 氮化镓基发光二极管管芯的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张书明 ; 杨辉
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| 小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨辉; 张书明
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| 氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨辉; 张书明
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| 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 冯淦; 杨辉; 梁骏吾
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张宝顺; 伍墨; 陈俊; 沈晓明; 冯淦; 刘建平; 史永生; 段丽宏; 朱建军; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张纪才; 王建峰; 王玉田; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈俊; 张书明; 张宝顺; 朱建军; 冯淦; 段俐宏; 王玉田; 杨辉; 郑文琛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李娜; 赵德刚; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄辉; 王兴妍; 王琦; 黄永清; 任晓敏; 高俊华; 张胜利; 刘宇; 祝宁华; 马骁宇; 杨晓红; 吴荣汉
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