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一种高温碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  孙国胜;  朱世荣;  曾一平;  孙殿照;  王雷
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡国新;  孙殿照;  王晓亮;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙殿照;  胡国新;  王晓亮;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙殿照
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