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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, S;  Zhu, F;  Yang, GD
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang GD;  Zhu F;  Dong S;  Yang, GD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. guandongyang@gmail.com
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GaMnSb稀磁半导体材料制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  杨冠东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu F;  Dong S;  Yang GD;  Zhu, F, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhufeng@semi.ac.cn
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制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29
发明人:  杨冠东;  朱峰;  李京波
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