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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, YD;  Han, WH;  Yan, W;  Yang, FH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, H;  Han, WH;  Ma, LH;  Li, XM;  Yang, FH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, H;  Han, WH;  Li, XM;  Zhang, YB;  Yang, FH
Adobe PDF(691Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:680/137  |  提交时间:2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, H;  Han, WH;  Ma, LH;  Li, XM;  Hong, WT;  Yang, FH
Adobe PDF(1722Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:462/62  |  提交时间:2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, YD;  Han, WH;  Yan, W;  Xu, XN;  Zhang, YB;  Wang, XD;  Yang, FH;  Cao, HZ;  Jin, F;  Dong, XZ;  Zhao, ZS;  Duan, XM;  Liu, Y
Adobe PDF(1588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1088/357  |  提交时间:2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3233/1392  |  提交时间:2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YB (Zhang Yanbo);  Xiong Y (Xiong Ying);  Yang XA (Yang Xiang);  Wang Y (Wang Ying);  Han WH (Han Weihua);  Yang FH (Yang Fuhua);  Han, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨香;  韩伟华;  王颖;  张杨;  杨富华
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SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1679/383  |  提交时间:2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1279/336  |  提交时间:2012/09/07