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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li H;  Wang Z;  Zhou K;  Pang JB;  Ke JY;  Zhao YW;  Wang Z Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. E-mail Address: wangz@whu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun LL;  Yan FW;  Zhang HX;  Wang JX;  Zeng YP;  Wang GH;  Li JM;  Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XB;  Kou LZ;  Lang XL;  Xia JB;  Wang N;  Qin R;  Lu J;  Xu J;  Liao ZM;  Zhang XZ;  Shan XD;  Song XF;  Gao JY;  Guo WL;  Yu DP;  Guo, WL, Nanjing Univ Aeronaut & Astronaut, Inst Nanosci, Nanjing 210016, Peoples R China. E-mail Address: wlguo@nuaa.edu.cn;  yudp@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deyneka-Dupriez N;  Herr U;  Fecht HJ;  Zhang XW;  Yin H;  Boyen HG;  Ziemann P;  Deyneka-Dupriez, N, Univ Ulm, Inst Mikro & Nanomat, D-89081 Ulm, Germany. 电子邮箱地址: nataliya.deyneka@uni-ulm.de
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Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R 会议论文
ADVANCED MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING AND IMAGING III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wang, XH;  Wan, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Way, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wan, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Hydrogen Sensor  Algan/gan Heterostructure  Schottky Diode  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HQ (Zhao Hong-Quan);  Yu LJ (Yu Li-Juan);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Zhao, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhggeneral@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang S;  Hu Z;  Raniero L;  Liao X;  Ferreira I;  Fortunato E;  Vilarinho P;  Perreira L;  Martins R;  Zhang, S, Univ Nova Lisboa, Fac Ciencias & Tecnol, Dept Ciencia Mat, Campus Caparica, P-2829516 Caparica, Portugal. E-mail: sz@uninova.pt
Adobe PDF(649Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：913/238  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HQ;  Yu LJ;  Huang YZ;  Zhao, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhggeneral@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：968/347  |  提交时间：2010/04/11
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films 会议论文
ADVANCED MATERIALS FORUM III丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Aveiro, PORTUGAL, MAR 20-23, 2005
作者:  Zhang, S;  Hu, Z;  Raniero, L;  Liao, X;  Ferreira, I;  Fortunato, E;  Vilarinho, P;  Perreira, L;  Martins, R;  Zhang, S, Univ Nova Lisboa, Fac Ciencias & Tecnol, Dept Ciencia Mat, Campus Caparica, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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Silicon Carbide  High Temperature Annealing  Thin Film  Silicon  Pecvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang RY;  Wang W;  Zhou F;  Bian J;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Jian SS;  Zhang, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ryzhang@red.semi.ac.cn;  wwang@red.semi.ac.cn
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