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| 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人: 张兴旺 ; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高 云; 陈诺夫
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| 在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 何金孝
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| 在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 何金孝; 段 尭; 曾一平; 王晓峰
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| 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gai YQ; Li JB; Yao B; Xia JB; Gai YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH; Iqbal J Tsinghua Univ Dept Mat Sci & Engn Adv Mat Lab Beijing 100084 Peoples R China. E-mail Address: javedsaggu73@yahoo.com; rhyu@tsinghua.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB; Zhang XW; Song HP; Ying J; Guo Y; Yang AL; Yin ZG; Chen NF; Zhu QS; You JB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbyou@semi.ac.cn
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| ZnO厚膜的金属源气相外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 段垚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li XK; Li QS; Liang DC; Xu YD; Xie XJ; Li XK Qufu Normal Univ Coll Phys & Engn Qufu 273165 Peoples R China. E-mail Address: phylxk@163.com
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