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| 稀铋 磷化物 InP 1-xBi x晶格 振动与电学输运特性的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 魏冠男
 Adobe PDF(3997Kb) |  收藏 | 浏览/下载：790/11 | 提交时间：2016/12/05 |
| 锗锡发光材料生长与特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 张旭
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| 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘广政
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Gaas/si Gaas/ge 两步法 四步法 量子点 激光器 |
| 硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 何超
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Si 基发光器件 Ge/si 量子点 Ge/sige 量子阱 Ge 薄膜 |
| 锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 黄文奇
Adobe PDF(4288Kb) | 收藏 | 浏览/下载：628/34 | 提交时间：2016/06/02
四族合金半导体 能带调控 第一性原理 |
| 绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘炜
Adobe PDF(3916Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1039/66 | 提交时间：2016/06/01 |
| 宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘雅丽
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Algan/algan 量子阱 Gan/aln量子点 半导体金刚石 深紫外光致发光 激子-声子作用 激子局域化 |
| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
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Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李晓静
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| 2-5 μm锑化物中红外探测器 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 向伟
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锑化物 红外探测器 雪崩光电二极管 Inas/gasb超晶格 势垒探测器 |
