SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条,第1-9条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭志煜
Adobe PDF(10262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:265/2  |  提交时间:2022/07/26
4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭志煜
Adobe PDF(10262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:251/3  |  提交时间:2022/07/15
N型注入4H-SiC脉冲激光退火激活研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  武婧敏
Adobe PDF(5212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:311/3  |  提交时间:2022/07/15
碳化硅超级结结构关键工艺研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  田润
Adobe PDF(4990Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:438/3  |  提交时间:2021/06/17
4H-SiC UMOSFET关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  刘敏
Adobe PDF(5200Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:514/21  |  提交时间:2019/11/18
面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
作者:  刘胜北
Adobe PDF(3371Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1525/46  |  提交时间:2018/02/22
固体脉冲激光器应用于非晶硅薄膜结晶的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  王帅
Adobe PDF(1904Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:659/18  |  提交时间:2017/06/01
脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘敏
Adobe PDF(2348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:809/36  |  提交时间:2016/05/26
脉冲激光退火  Sic欧姆接触  数值模拟  接触特性  
4H-SiC结型势垒肖特基(JBS)二极管的设计与研制及其关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  王进泽
Adobe PDF(2868Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:886/49  |  提交时间:2015/06/02