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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Majid A;  Ali A;  Zhu JJ;  Wang YT;  Liu W;  Lu GJ;  Liu WB;  Zhang LQ;  Liu ZS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Jiang DS;  Yang H;  Ali, A, Quaid I Azam Univ, Dept Phys, Adv Mat Phys Lab, Islamabad, Pakistan. 电子邮箱地址: akbar@qau.edu.pk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XD;  Xu ZY;  Sun Z;  Sun BQ;  Ding L;  Wang FZ;  Ye ZZ;  Yang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: young@red.semi.ac.cn
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Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(305Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1663/401  |  提交时间：2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells  Optical Properties  Nonradiative Recombination Effect  Time-resolved Photoluminescence  Pl Decay Dynamics  Pl Thermal Quenching  Molecular-beam Epitaxy  Gaasn Alloys  Excitation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  卞留芳;  张春光;  陈维德;  许振嘉;  屈玉华;  刁宏伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei ZF;  Xu SJ;  Duan RF;  Li Q;  Wang J;  Zeng YP;  Liu HC;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, CAS, Joint Lab New Mat, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CG;  Bian LF;  Chen WD;  Zhang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangcg@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JC;  Jiang DS;  Sun Q;  Wang JF;  Wang YT;  Liu JP;  Chen J;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Dai T;  Jia QJ;  Zhang, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jczhang@red.semi.ac.cn
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Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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Doping  Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Semiconducting Gallium Compounds  Erbium  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SF;  Chen WD;  Su FH;  Zhu JJ;  Ding K;  Hsu CC;  Song, SF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sfsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen, WD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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