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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu Y; Hu H; Chen L; Song G; Zhuang W; Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xuyun@red.semi.ac.cn
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| 780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 仲莉; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Nie C; Jiang RL; Ji XL ; Xie ZL; Liu B; Han P; Zhang R; Zheng YD; Nie C Nanjing Univ Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: nchbbc@gmail.com; ndjrl@163.com; jixiaoli2002@nju.org.cn; xzl@nju.edu.cn; mypostlb@163.com; hanping@nju.cdu.cn; rzhang@nju.edu.cn; ydzheng@nju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZJ; Qu SC; Zeng XB; Liu JP; Zhang CS; Shi MJ; Tan FR; Wang ZG; Qu SC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li T; Zhao SZ; Zuo Z; Wang YG; Li GQ; Zhao SZ Shandong Univ Sch Informat Sci & Engn Jinan 250100 Shandong Peoples R China. E-mail Address: shengzhi_zhao@sdu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB; Zhang XW; Dong JJ; Song XM; Yin ZG; Chen NF; Yan H; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang, YD (Yang, Yue-De); Wang, SJ (Wang, Shi-Jiang); Huang, YZ (Huang, Yong-Zhen); Yang, YD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH; Iqbal J Tsinghua Univ Dept Mat Sci & Engn Adv Mat Lab Beijing 100084 Peoples R China. E-mail Address: javedsaggu73@yahoo.com; rhyu@tsinghua.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song XH; Jin YR; Zhang X; Yu YD; Zhang DL; Song XH Chinese Acad Sci Inst Phys Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys Beijing 100190 Peoples R China. E-mail Address: xhsong@aphy.iphy.ac.cn
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