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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL (Lu, Shulong);  Nosho H (Nosho, Hidetaka);  Tackeuchi A (Tackeuchi, Atsushi);  Bian LF (Bian, Lifeng);  Dong JR (Dong, Jianrong);  Niu ZC (Niu, Zhichuan);  Lu, SL, Waseda Univ, Dept Appl Phys, Shinjuku Ku, Tokyo 1698555, Japan. 电子邮箱地址: sllu2008@sinano.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Gao F;  Li JB;  Zu XT;  Weber WJ;  Wang ZG Univ Elect Sci & Technol China Dept Appl Phys Chengdu 610054 Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Majid A;  Israr M;  Zhu JJ;  Ali A;  Ali A Quaid I Azam Univ Dept Phys Adv Mat Phys Lab Islamabad Pakistan.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang LQ;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Zhang LQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lqzhang@semi.ac.cn;  hyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张立群;  张书明;  江德生;  朱建军;  赵德刚;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Guo X;  Liu ZS;  Zhang SM;  Wang YT;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴燕;  黄胜利;  朱贤方;  李论雄;  王占国;  王连洲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周梅;  赵德刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun X;  Jiang DS;  Liu WB;  Zhu JH;  Wang H;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  You LP;  Ma RM;  Yang H;  Sun X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xiansun@semi.ac.cn;  dsjiang@red.semi.ac.cn
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