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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [3]
作者
徐波 [1]
韩培德 [1]
文献类型
会议论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2000 [1]
语种
英语 [3]
出处
MATERIALS ... [1]
NUSOD 2009... [1]
PROCEEDING... [1]
资助项目
收录类别
CPCI(ISTP) [2]
CPCI-S [1]
资助机构
Gwangju In... [1]
Japan Soc ... [1]
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Simulation on Gain Recovery of Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifiers by Rate Equation
会议论文
NUSOD 2009: 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NUMERICAL SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES, PROCEEDINGS, Gwangju, SOUTH KOREA, SEP 14-17, 2009
作者:
Xiao JL (Xiao Jin-Long)
;
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Xiao, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/04/26
Dynamics
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Zhao M
;
Zhang CL
;
Xu B
;
Yu LK
;
Sun J
;
Lei W
;
Wang ZG
;
Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Monte Carlo Simulation
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Algan/gan Heterostructures
In-doping
2deg
Electron Sheet Density
X-ray Diffraction
Etching
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Phase Epitaxy
Mobility
Growth
Films