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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1258/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 Adobe PDF(453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1119/178  |  提交时间:2011/08/30 |
| p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张小宾; 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 冉军学; 王翠梅; 李晋闽 Adobe PDF(624Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1622/313  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:837/85  |  提交时间:2014/10/29 |
| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19 发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉 Adobe PDF(439Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:695/87  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15 发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏 Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:566/75  |  提交时间:2014/10/29 |
| 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08 发明人: 杨静; 赵德刚; 李亮; 吴亮亮; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光 Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:794/105  |  提交时间:2014/11/24 |
| 高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02 发明人: 刘炜; 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 江德生 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:408/4  |  提交时间:2016/09/02 |
| 基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 刘炜; 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生 Adobe PDF(353Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:365/2  |  提交时间:2016/09/12 |
| InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 杨静; 赵德刚; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光 Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:597/4  |  提交时间:2016/08/30 |