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| Design and fabrication of high-responsivity photodetector based on avalanche effect and surface plasmons effect 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: Mehdi Afshari Bavil
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| 稀铋 磷化物 InP 1-xBi x晶格 振动与电学输运特性的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 魏冠男
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| AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 郝美兰
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| II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 任敬川
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Ii-vi族半导体 分子束外延 Znsete 单晶薄膜 掺杂 |
| InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李慧梅
Adobe PDF(3836Kb) | 收藏 | 浏览/下载：929/78 | 提交时间：2016/06/02
Ingaas/inp Apd Ingaas/inalas Apd 增益 暗电流 击穿电压 扩散zn掺杂 |
| 绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘炜
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| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
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Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李晓静
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| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
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高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 2-5 μm锑化物中红外探测器 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 向伟
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锑化物 红外探测器 雪崩光电二极管 Inas/gasb超晶格 势垒探测器 |
