SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条,第1-1条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:775/203  |  提交时间:2014/11/24