SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条,第1-1条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241700.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱峰;  李京波
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1176/167  |  提交时间:2011/08/30