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| 低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 闫果果
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| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 田丽欣
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| 锗锡发光材料生长与特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 张旭
Adobe PDF(6153Kb) | 收藏 | 浏览/下载：692/50 | 提交时间：2016/06/01 |
| 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘广政
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Gaas/si Gaas/ge 两步法 四步法 量子点 激光器 |
| 硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 何超
Adobe PDF(7728Kb) | 收藏 | 浏览/下载：823/54 | 提交时间：2016/06/02
Si 基发光器件 Ge/si 量子点 Ge/sige 量子阱 Ge 薄膜 |
| 锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 黄文奇
Adobe PDF(4288Kb) | 收藏 | 浏览/下载：626/34 | 提交时间：2016/06/02
四族合金半导体 能带调控 第一性原理 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
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高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 赵云
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| 石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 曾清
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石墨烯+apcvd+iii 族氮化物+mocvd |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yingdong Tian; Yun Zhang; Jianchang Yan; Xiang Chen; Junxi Wang; Jinmin Li
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