×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2008 [2]
2006 [2]
2001 [2]
1997 [1]
语种
英语 [7]
出处
JOURNAL OF... [2]
Physica St... [2]
1997 IEEE ... [1]
2008 9TH I... [1]
PHYSICA ST... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [7]
资助机构
China Natl... [2]
IEEE Beiji... [1]
IEEE Elect... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(217Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1865/329
  |  
提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
;
Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(933Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1206/227
  |  
提交时间:2010/03/09
Soi
Mosfet
Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(266Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1822/347
  |  
提交时间:2010/03/29
Molecular-beam Epitaxy
2-dimensional Electron-gas
Bulk Gan
Optimization
Layers
Hemts
Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Wang, CM
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
;
Wang, CM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(335Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1200/297
  |  
提交时间:2010/03/29
High Breakdown Voltage
Mobility Transistors
Heterostructures
Sapphire
Ganhemts
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(148Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1254/394
  |  
提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
High Electron Mobility Transistors
Density
Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Cao X
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan LA
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(106Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1510/426
  |  
提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Mobility
Two-dimensional numerical simulation of the channel electron in an In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.48As HEMT
会议论文
1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, HONG KONG, HONG KONG, 35672
作者:
Zhang XH
;
Yang YF
;
Wang ZG
;
Zhang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(211Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:981/246
  |  
提交时间:2010/10/29