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| 新型二维半导体的可控制制备与光电器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 黎永涛
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| 稀铋 磷化物 InP 1-xBi x晶格 振动与电学输运特性的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 魏冠男
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| AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 郝美兰
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 黄宇亮
Adobe PDF(3699Kb) | 收藏 | 浏览/下载：600/121 | 提交时间：2016/06/06 |
| 绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘炜
Adobe PDF(3916Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1039/66 | 提交时间：2016/06/01 |
| 宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘雅丽
Adobe PDF(5504Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1270/64 | 提交时间：2016/06/03
Algan/algan 量子阱 Gan/aln量子点 半导体金刚石 深紫外光致发光 激子-声子作用 激子局域化 |
| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
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Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李晓静
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| AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 赵勇兵
Adobe PDF(3734Kb) | 收藏 | 浏览/下载：831/78 | 提交时间：2016/06/01
Algan/gan Hfet 特征导通电阻 击穿电压 增强型器件 阈值电压 |
| GaN 基LEDs 可靠性及失效机理的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 符佳佳
Adobe PDF(11637Kb) | 收藏 | 浏览/下载：961/96 | 提交时间：2016/06/01
Gan基leds 可靠性评估 老化行为 失效分析 |
