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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
阎Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Jin P (Jin Peng)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Ye XL (Ye Xiaoling)
;
Liu JP (Liu Junpeng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2011/07/17
Study on Broadband Emitting Self-Assembled Quantum-Dot Material and Devices
会议论文
NEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, JAN 03-08, 2010
作者:
Jin P (Jin P.)
;
Lv XQ (Lv X. Q.)
;
Liu N (Liu N.)
;
Zhang ZY (Zhang Z. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Wang, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zgwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/01
Superluminescent Diodes
High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability
会议论文
Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7844: Art. No. 784404 2010, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-19, 2010
作者:
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Xu PF (Xu Peng-fei)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
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提交时间:2011/07/14
Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers
会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:
Ji
;
HM
;
Cao
;
YL
;
Xu PF
;
Gu YX
;
Ma WQ
;
Liu Y
;
Wang X
;
Xie L
;
Yang T
;
Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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提交时间:2010/06/04
Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Ji HM
;
Yang T
;
Cao YL
;
Ma WQ
;
Cao Q
;
Chen LH
;
Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Density-of-states
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Molecular-beam Epitaxy
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
作者:
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
;
Chen, J, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore.
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提交时间:2010/03/09
Emission
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Induced Refractive-index
Growth
Lasers
Gaas
Thermal test and analysis of concentrator solar cells - art. no. 684117
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Cui M
;
Chen NF
;
Wu JL
;
Liu L
;
Wang P
;
Wang YS
;
Bai YM
;
Cui, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Temperature
Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Chen YH
;
Tang CH
;
Xu B
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Inas