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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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集成光电子学国家重点... [4]
作者
陈雄斌 [1]
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2018 [1]
2016 [1]
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专题:集成光电子学国家重点实验室
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
Design and fabrication of high-responsivity photodetector based on avalanche effect and surface plasmons effect
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:
Mehdi Afshari Bavil
Adobe PDF(1612Kb)
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提交时间:2016/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, L
;
Ding, JF
;
Tian, YH
;
Ji, RQ
;
Yang, L
;
Chen, HT
;
Zhou, P
;
Lu, YY
;
Zhu, WW
;
Min, R
Adobe PDF(1375Kb)
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张建昆
;
杨宇
;
刘博
;
陈雄斌
;
陈弘达
Adobe PDF(684Kb)
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提交时间:2012/07/17