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硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-03, 2010-08-12
发明人:  孙 阳;  陈少武;  徐学俊
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基于标准CMOS工艺的积分电容及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  马文龙;  石 寅;  张耀辉 
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一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  陈弘达;  黄北举;  张 旭 
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SOI衬底CMOS工艺电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  陈弘达;  黄北举;  董 赞 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈方雄;  林敏;  石寅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾凡平;  韩培德;  高利朋;  冉启江;  毛雪;  赵春华;  米艳红
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微电子与光电子集成技术 专著
北京:电子工业出版社, 2008
作者:  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈方雄;  林敏;  陈备;  贾海珑;  石寅;  代伐
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  余洪敏;  陈陵都;  刘忠立
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采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
Adobe PDF(500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1212/167  |  提交时间:2009/06/11