×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [10]
作者
江德生 [2]
于芳 [1]
张艳华 [1]
文献类型
会议论文 [10]
发表日期
2006 [1]
2004 [1]
2002 [1]
2000 [3]
1999 [1]
1998 [2]
更多...
语种
英语 [10]
出处
2006 INTER... [1]
COMMAD 200... [1]
COMPOUND S... [1]
INTEGRATED... [1]
JOURNAL OF... [1]
MATERIALS ... [1]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [10]
资助机构
Ansto Sims... [1]
Deutsch Fo... [1]
Dielect Sc... [1]
IUMRS. [1]
Japan Soc ... [1]
SPIE Int S... [1]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
限定条件
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
An ambient proof and wide tuning range LC VCO with automatic amplitude control for tuner applications
会议论文
2006 INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMMUNICATIONS CIRCUITS AND SYSTEMS PROCEEDINGS VOLS 丛书标题: International Conference on Communications, Circuits and Systems, Guilin, PEOPLES R CHINA, JUN 25-28, 2006
作者:
Yan, J (Yan, Jun)
;
Ma, DS (Ma, Desheng)
;
Mao, W (Mao, Wei)
;
Gu, M (Gu, Ming)
;
Shi, Y (Shi, Yin)
;
Dai, FF (Dai, Fa Foster)
;
Yan, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Mixed Signal & High Speed Circuit Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(3739Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1393/264
  |  
提交时间:2010/03/29
Conversion
Oscillators
Noise
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(357Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1489/405
  |  
提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Optical properties of AIInGaN quaternary alloys
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Huang JS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(248Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1385/242
  |  
提交时间:2010/10/29
Light-emitting-diodes
Localized Excitons
Luminescence
Relaxation
Silicon
Band
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 72 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Wang QY
;
Nie JP
;
Yu F
;
Liu ZL
;
Yu YH
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(121Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1285/267
  |  
提交时间:2010/11/15
Solid Phase Epitaxy
SilicOn On Sapphire (Sos)
Carrier Mobility
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 7 (3-4), FUKUOKA, JAPAN, JUL 12-16, 1999
作者:
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
;
Wang HL Qufu Normal Univ Dept Phys Qufu 273165 Peoples R China.
Adobe PDF(105Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1121/237
  |  
提交时间:2010/11/15
Inas/gaas Quantum Dots
Self-assembled Structure
Dlts
Pl
Band Offset
Energy-levels
Carrier Relaxation
Spectroscopy
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1999, (166), BERLIN, GERMANY, AUG 22-26, 1999
作者:
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(448Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:977/186
  |  
提交时间:2010/11/15
Electronic-structure
Carrier Relaxation
Energy-levels
Spectroscopy
Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots
会议论文
PROCEEDINGS OF THE FIFTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON QUANTUM CONFINEMENT: NANOSTRUCTURES, 98 (19), BOSTON, MA, NOV 02-05, 1998
作者:
Zhu HJ
;
Wang ZM
;
Sun BQ
;
Feng SL
;
Jiang DS
;
Zheng HZ
;
Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:829/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Dynamics of formation of defects in annealed InP
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(208Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1197/387
  |  
提交时间:2010/10/29
Defects Formation
Hydrogen Related Defects
Semi-insulating
Inp
Formation mechanism of defects in annealed InP
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(383Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1138/254
  |  
提交时间:2010/10/29
Defects Formation
Hydrogen Related Defects
Semi-insulating
Inp
Electronic investigation of self-organized InAs quantum dots
会议论文
PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, 12, LINCOLN, NEBRASKA, JUL 08-11, 1997
作者:
Chen F
;
Feng SL
;
Yang XZ
;
Zhao Q
;
Wang ZM
;
Wen LS
;
Chen F Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(2402Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:957/127
  |  
提交时间:2010/11/15
Carrier Relaxation