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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
谭平恒 [1]
文献类型
会议论文 [8]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2001 [2]
2000 [2]
1998 [1]
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出处
PROCEEDING... [2]
2008 9TH I... [1]
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Growth of ZnO single crystal by chemical vapor transport method
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Zhou, JM
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Duan, ML
;
Li, JM
;
Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Zinc Oxide
Photoluminescence from carbon nanotubes
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87, OSAKA, JAPAN, SEP 17-22, 2000
作者:
Han HX
;
Li GH
;
Ge WK
;
Wang ZP
;
Xu ZY
;
Xie SS
;
Chang BH
;
Sun LF
;
Wang BS
;
Xu G
;
Su ZB
;
Han HX Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Electronic-structure
Observation of the resonant Raman behavior of individual single-walled carbon nanotubes
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87, OSAKA, JAPAN, SEP 17-22, 2000
作者:
Tan PH
;
Tang Y
;
Hu CY
;
Li F
;
Bai S
;
Cheng HM
;
You JQ
;
Tan PH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Electric-arc Technique
Large-scale
Scattering
Spectra
Stokes
Modes
Residual donors in undoped LEC InP
会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:
Zhao YW
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Lin LY
;
Wu XW
;
Guo WL
;
Wu X
;
Bi KY
;
Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Indium-phosphide
Carbon
Defects
Growth
Semi-insulating GaAs grown in outer space
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1371/315
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提交时间:2010/11/15
Gaas
Outer Space
Microgravity
Integrated Circuit
Semiinsulating Gallium-arsenide
Lec-gaas
Defects
Stoichiometry
Segregation
Carbon
Boron
The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yu Z
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Liang JW
;
Yu Z Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Si1-ycy Alloys
Ion implantatIon
Solid Phase Epitaxy Recrystallization