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(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  闫俊达
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氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管  
含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李巍
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氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌  
4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  申占伟
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4h-sic  场效应晶体管  No退火  Umosfet  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容  
无权访问的条目 学位论文
作者:  刘波亭
Adobe PDF(7041Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：436/37  |  提交时间：2017/06/05
无权访问的条目 学位论文
作者:  綦成林
Adobe PDF(3902Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：345/8  |  提交时间：2017/06/05
无权访问的条目 学位论文
作者:  刘磊
Adobe PDF(7711Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：344/20  |  提交时间：2017/06/02
GaN基HEMT器件材料的生长技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  吉泽生
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无权访问的条目 学位论文
作者:  张硕
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gaoqiang Deng;  Yuantao Zhang;  Zhen Huang;  Long Yan;  Pengchong Li;  Xu Han;  Ye Yu;  Liang Chen;  Degang Zhaoand Guotong Du
Adobe PDF(3396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2018/11/30