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具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
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金属有机物化学沉积设备的反应室 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033963.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  王晓亮;  胡国新;  肖红领;  殷海波;  张露;  李晋闽
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用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  冉军学;  胡强;  胡国新;  梁勇;  熊衍凯;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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