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制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人:  韩培德
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光子晶体啁啾波导慢光边发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  郑婉华;  邢名欣;  任 刚;  刘安金;  陈 微;  周文君;  陈良惠
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AlN 晶体的离子注入掺杂及缺陷研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  李巍巍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张爽;  赵德刚;  刘宗顺;  朱建军;  张书明;  王玉田;  段俐宏;  刘文宝;  江德生;  杨辉
Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/328  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王卉;  曾韡;  宋国峰
Adobe PDF(768Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:779/234  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张曾;  张荣;  谢自力;  刘斌;  修向前;  李弋;  傅德颐;  陆海;  陈鹏;  韩平;  郑有炓;  汤晨光;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(468Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1576/348  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  安胜彪;  文环明;  武瑞红;  王晓君;  王晓亮
Adobe PDF(521Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1401/349  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Zhao, YW;  Zhang, F;  Zhang, R;  Dong, ZY;  Wei, XC;  Zeng, YP;  Li, JM;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1868/527  |  提交时间:2010/03/09
Zinc Oxide  Defect  Vacancy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
Adobe PDF(552Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1021/286  |  提交时间:2010/11/23