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硅基单电子神经元量子电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华
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具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香
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围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香
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一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香;  吴南健
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通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  张扬;  刘剑;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩伟华;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩伟华;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩伟华;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩伟华;  余金中
Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:634/181  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏红振;  余金中;  张小峰;  韩伟华;  刘忠立;  王启明;  史伟;  房昌水
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