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p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究 学位论文
电子信息硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  杨军
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4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭志煜
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4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭志煜
Adobe PDF(10262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:252/3  |  提交时间:2022/07/15
基于等离子体波的室温场效应晶体管微波太赫兹探测器 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  黄镇
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碳化硅超级结结构关键工艺研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  田润
Adobe PDF(4990Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:439/3  |  提交时间:2021/06/17
4H-SiC UMOSFET关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  刘敏
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集成天线的氮化镓基高电子迁移率晶体管太赫兹波探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  张博文
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AlGaN/GaN电力电子器件的设计、制备与可靠性分析 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  梁亚楠
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面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
作者:  刘胜北
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脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘敏
Adobe PDF(2348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:812/36  |  提交时间:2016/05/26
脉冲激光退火  Sic欧姆接触  数值模拟  接触特性