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| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1566/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1222/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 樊晶美; 王良臣; 刘志强 Adobe PDF(609Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1226/198  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领 Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1484/265  |  提交时间:2011/08/31 |
| 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102324436A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 张雨溦; 张杨; 曾一平 Adobe PDF(473Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1933/323  |  提交时间:2012/08/29 |
| 一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 安平博; 张硕; 赵丽霞; 段瑞飞; 路红喜; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(489Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:487/5  |  提交时间:2016/09/12 |
| 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛 Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:474/6  |  提交时间:2016/09/28 |
| 大失配体系硅基无位错异质外延方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 张大林; 李传波; 刘智; 张东亮; 成步文; 王启明 Adobe PDF(1247Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:600/1  |  提交时间:2016/08/30 |