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铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  林涛;  江李;  陈芳;  刘素平;  潭满清;  王国宏;  韦欣;  马骁宇
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降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163804A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  祁琼;  熊聪;  王俊;  郑凯;  刘素平;  马骁宇
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用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  刘媛媛;  杨富华
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一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25
发明人:  祁琼;  熊聪;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1160/131  |  提交时间：2014/11/17