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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai Rui-Xue;   Yang Jue-Han;   Wei Da-Hai;   Wei Zhong-Ming
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2~4μm 红外波段GaSb基量子阱激光器材料生长与器件制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  邢军亮
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(1931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：798/73  |  提交时间：2014/11/24