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基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  余之峰
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无权访问的条目 学位论文
作者:  何力
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硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  杨巧林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Pan;   Zong Yi-Xin;   Wen Hong-Yu;   Xia Jian-Bai;   Wei Zhong-Ming
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