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低维锑基半导体材料光电探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  柴瑞青
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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
Adobe PDF(2279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1067/20  |  提交时间：2017/06/01
第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线